研究のテーマや目的

量子効果デバイスの基礎研究

  • 新たな量子効果デバイスの創造
  • タイプIIヘテロ接合によるインターバンドトンネリングデバイス特性の解明・デバイス応用

通信用超高速電子デバイス・ICの研究開発

  • InP HFET ICの商品化開発
  • 電子光融合デバイスのプロセス開発

活動内容と結果・成果

量子効果デバイスの基礎研究

Sb系のIII-V属化合物半導体に関して、MBEによる結晶成長を行い、電子・正孔バンド間の共鳴トンネル構造をもつデバイスを作製し、それらに関する電気特性を明らかにした。

主著論文
  • H. Kitabayashi, et al., J. Crystal Growth 150(1995)152-157 : Atomic force microscope observation of the initial stage of InAs growth on GaAs substrates
  • H. Kitabayashi, et al., Electronics Letters 2nd January 1997 Vol. 33 No. 1 pp. 102-103 : Resonant interband tunneling diodes with high peak current density
  • H. Kitabayashi, et al., Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36(1997) pp. 1807-1810 Part 1, No. 3B, March 1997 : Dependence of Resonant Interband Tunneling Current on Barrier and Well Width in InAs/AlSb/GaSb/AlAs/InAs Double-Barrier Structures
  • H. Kitabayashi, et al., Appl. Phys. Lett., Vol 71, No. 4, 28 July 1997 : pp. 512-514, Resonant interband tunneling current in InAs/AlSb/GaSb/AlAs/InAs diodes with extremely thin AlSb barrier layers
  • H. Kitabayashi, et al., J. Appl. Phys., Vol 84, No. 3, 1 August 1998 : pp. 1460-1466, Resonant interband tunneling current in InAs/AlSb/GaSb/AlAs/InAs double barrier diodes

通信用超高速電子デバイス・ICの研究開発

InP系化合物半導体からなる通信用超高速デバイス・ICのプロセス研究開発を行い、その成果として40GHz超動作の通信用IC技術を関連会社へ技術移転した。

主著論文
  • H. Kitabayashi, et al., IEICE TRANS. ELECTRON., VOL. E86-C, NO. 10 OCTOBER 2003 : Double-Recess Structure with an InP Passivation Layer for 0.1-μm-Gate InP HEMTs

役職等

新入社員～主任研究員